Формирование сквозных структур с различной пористостью на толстых пластинах монокристаллического кремния

Описание

Перевод названия: Formation of Cross-Cutting Structures with Different Porosity on Thick Silicon Wafers

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Идентификатор DOI: 10.17073/1609-3577-2014-1-8-12

Ключевые слова: porous silicon, electrochemical, microfuel element, membrane-electrode unit, пористый кремний, электрохимическое травление, микротопливный элемент, мембранно-электродный блок

Аннотация: Электрохимическим травлением в растворах концентрированной плавиковой кислоты получены сквозные трехслойные структуры двух типов на пластинах монокристаллического кремния толщиной 500 мкм без применения дополнительных операций удаления монокристаллических слоев. Сквозная структура первого типа содержит крайние два слоя макропористоПоказать полностьюго кремния толщиной 220-247,5 мкм с диаметром пор 7-10 мкм и средний слой мезопористого кремния толщиной 5-60 мкм с диаметром пор от 100 до 150 нм. Сквозная структура второго типа состоит из слоев макропористого кремния толщиной 250 мкм, смыкающихся в глубине пластины кремния посередине с образованием полостей размером 4-8 мкм. Разработана технология, которая позволяет более просто и надежно формировать монолитный каркас мембранно-электродного блока микротопливного элемента.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники

Выпуск журнала: Т.17, 1

Номера страниц: 8-12

ISSN журнала: 16093577

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Авторы

Вхождение в базы данных