RECOMBINATION EFFICIENCY OF RADIATION DEFECTS IN SILICON FORMED BY NEUTRON AND ELECTRON-BOMBARDMENT

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1979

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR

Выпуск журнала: Vol. 13, Is. 9

Номера страниц: 1082-1083

ISSN журнала: 00385700

Место издания: WOODBURY

Издатель: AMER INST PHYSICS

Персоны

  • VASILEV A.V. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • SMAGULOVA S.A. (KRASNOYARSK STATE UNIV)

Вхождение в базы данных