Полный текст публикации: The program for calculating the parameters of a field-effect transistor with a gate based on copper oxide nanowires and various trap densities on the gate surface : регистрация программы для ЭВМ

Полный текст не загружен, но возможно он доступен по одной из следующих ссылок:

  1. РИНЦ (eLIBRARY.RU) (справа ссылка «Загрузить полный текст»)
  2. Поиск в Академии Google

Вернуться на страницу публикации