The program for calculating the parameters of a field-effect transistor with a gate based on copper oxide nanowires and various trap densities on the gate surface : регистрация программы для ЭВМ

Описание

Тип публикации: патент

Год издания: 2023

Аннотация: Программа анализирует нанопроволочное устройство с универсальным затвором из оксида меди с различной плотностью ловушек на поверхности затвора. В программе реализованы: удобный способ расчета с различными исходными данными; прогнозирование основных характеристик в виде вольт-амперных кривых для трех плотностей ловушек, построение сПоказать полностьюоответствующих уровней энергии по радиусу в центральном поперечном сечении кремниевого канала, когда МОП-транзистор находится во включенном состоянии, плотности тока, концентрации дырок (логарифмическая шкала), концентрации электронов (логарифмич. шкала) и электрическое поле, учет экранирующего эффекта электрического потенциала по радиусу в центральном поперечном сечении канала в виде таблиц, одномерных, двух- и трехмерных графиков. Программа может быть использована специалистами в области микроэлектроники, занимающихся миниатюризацией полевых МОП-транзисторов. Тип ЭВМ: IBM PC-совмест. ПК; ОС: Linux, Windows.

Ссылки на полный текст

Вхождение в базы данных