Наноструктуры Ni-Ge: роль интерфейса и магнитные свойства

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2012

Аннотация: Исследованы морфология поверхности и локальная структура слоев пленок Ni-Ge и Ge-Ni-Ge-Ni-Ge. Показано, что поверхность пленок повторяет шероховатости поверхности подложки, имеющие характерные размеры по высоте 2-4 nm и в плоскости ~100 nm. На границах между слоями Ni и Ge образуется интерфейс, глубина которого составляет от 9 до 1Показать полностью8 nm. Полученные данные использованы для объяснения особенностей магнитных свойств исследованных пленок: асимметрии петли гистерезиса при низких температурах и различия температурных зависимостей намагниченности при охлаждении образцов в поле и в нулевом поле. Работа поддержана грантами РФФИ N 11-02-00972 и 11-02-00675; синхротронные исследования выполнены на оборудовании Центра коллективного пользования "Курчатовский центр синхротронного излучения и нанотехнологий" в рамках государственного контракта N 16.552.11.7003.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т.54, 7

Номера страниц: 1405-1411

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

Авторы

  • Гребенькова Ю.Э. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
  • Черниченко А.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
  • Великанов Д.А. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)
  • Турпанов И.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
  • Мухамеджанов Э.Х. (Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия)
  • Зубавичус Я.В. (Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия)
  • Черков А.К. (Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия)
  • Патрин Г.С. (Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия)

Вхождение в базы данных