Полный текст публикации: Magnetic-field-driven electron transport in SOI back-gate device

Полный текст не загружен, но возможно он доступен по одной из следующих ссылок:

  1. DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012204 (переход на страницу публикации на сайте издателя)
  2. Scopus (вверху ссылка «Скачать»)
  3. Поиск в Академии Google

Вернуться на страницу публикации