Спонтанная намагниченность и особенности термоинициированного намагничивания планарных наноструктур Co/Si

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2007

Ключевые слова: слоистые наноструктуры, спонтанная намагниченность, гранулированная микроструктура

Аннотация: В интервале температур 4,2-300 К исследованы магнитные свойства планарных наноструктур Co/Si с различными номинальными толщинами магнитных (2-42 нм) и немагнитных (0,3-10 нм) слоистых составляющих. Установлено, что в присутствии слоев Si происходит уменьшение спонтанной намагниченности Со, изменение ее температурной зависимости и мПоказать полностьюодификация магнитного гистерезиса. Межслойное влияние интерпретировано как следствие диффузии Si в слои Со, которая приводит к образованию магнитонеоднородных приграничных интерфейсов с пониженной средней намагниченностью. Глубина интерфейсов зависит от номинальной толщины слоев Si и по оценкам может составлять до 1,6 нм. В модели гранулированной микроструктуры интерфейсов дано качественное объяснение особенностям намагничивания исследованных объектов под действием магнитного поля и температуры. Некоторые положения предложенной модели подтверждены результатами электронно-микроскопических наблюдений.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика низких температур

Выпуск журнала: Т.33, 4

Номера страниц: 439-445

ISSN журнала: 01326414

Место издания: Харьков

Издатель: Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина Национальной академии наук Украины

Авторы

  • Васьковский В.О. (Уральский государственный университет им. А.М. Горького)
  • Патрин Г.С. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)
  • Великанов Д.А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)
  • Свалов А.В. (Уральский государственный университет им. А.М. Горького)
  • Щеголева Н.Н. (Институт физики металлов УрО РАН)

Вхождение в базы данных