Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Psi и Delta непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1-xCdxTe.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т.84, 5

Номера страниц: 109-112

ISSN журнала: 00444642

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

Вхождение в базы данных