Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2012
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий проводить эксперсс-контроль толщины и оптических постоянных структур в процессе роста. Проведена апробация алгоритма на структурах Fe/SiO2/Si(100), полученных в установке молекулярно-лучевой эпитаксии "Ангара". Значения толщин пленок, рассчитанные в ходе их роста, сравнены с данными ренПоказать полностьютгеноспектрального флуоресцентного анализа и просвечивающей электронной микроскопии.
Журнал: Журнал технической физики
Выпуск журнала: Т. 82, № 9
Номера страниц: 44-48
ISSN журнала: 00444642
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука