СПЕКТРОСКОПИЯ ПОТЕРЬ ЭНЕРГИИ ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ И ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ

Описание

Перевод названия: REFLECTION OF ELECTRON ENERGY LOSS SPECTROSCOPY IN STRUCTURES BASED ON SILICON AND TRANSITION METALS

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: Metal-semiconductor structures, semiconductors, metals, iron silicides, Inelastic electron scattering cross-section, Electron energy loss spectroscopy, структуры металл-полупроводник, полупроводники, металлы, силициды железа, спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов

Аннотация: Структуры на основе кремния и переходных металлов перспективны для создания устройств наноэлектроники, нанофотоники и спинтроники, имеющих значение для развития ракетно-космической отрасли. В данной работе проведено исследование структур на основе Si, Fe, Mn методами спектроскопии характеристических потерь и сечения неупругого рассПоказать полностьюеяния электронов с применением авторской методики аппроксимации последних Лоренцевоподобными пиками Тоугаарда.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т.1, 20

Номера страниц: 601-603

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева"

Авторы

  • Игуменов А.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Михлин Ю.Л. (Институт химии и химической технологии СО РАН)
  • Пчеляков О.П. (Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН)
  • Жигалов В.С. (Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН)

Вхождение в базы данных