Моделирование роста агрегатов наночастиц, воспроизводящее их естественную структуру в дисперсных системах

Описание

Перевод названия: Simulation of the Growth of Nanoparticle Aggregates Reproducing Their Natural Structure in Disperse Systems

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2006

Аннотация: Разработана трехмерная континуальная модель генерации агрегатов сферических наночастиц, позволяющая воспроизвести естественные условия структурообразования в реальных дисперсных систе-. мах с произвольной вязкостью дисперсионной среды. В модели учтен обмен между поступательными и вращательными степенями свободы агрегатов, субагрегаПоказать полностьютов и отдельных частиц при произвольном виде потенциала межчастичного взаимодействия, а также при заданной функции распределения частиц по размерам и толщине адсорбционного слоя. Потенциал взаимодействия частиц включает в себя электростатические (включая экранированные), упругие и ван-дер-ваальсовы взаимодействия, позволяет учесть влияние внешних электрических, магнитных и гравитационных полей. Исследованы ' структурные и статистические характеристики образующихся агрегатов на разных этапах коагуляции частиц, обнаружена квазиупорядоченность отдельных субагрегатов для упругого адсорбционного слоя частиц. Модель может найти применение в исследовании оптического поглощения большими aг-регатами наночастиц с естественной структурой, кинетики агрегации золей в зависимости от свойств адсорбционного слоя частиц, а также от действия внешних физических факторов.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Коллоидный журнал

Выпуск журнала: Т. 68, 4

Номера страниц: 484-494

ISSN журнала: 00232912

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

Персоны

  • Карпов С.В. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН)
  • Герасимов В.С. (Красноярский государственный технический университет)
  • Исаев И.Л. (Красноярский государственный технический университет)
  • Обущенко А.В. (Московский физико-технический институт)

Вхождение в базы данных