Влияние примеси Еи 3+ на антиферродисторсионную и сегнетоэлектрическую неустойчивости в объемном кристалле и тонких пленках EuTiO 3

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Аннотация: В литературе имеются некоторые разногласия по поводу существования антиферродисторсионного перехода в ЕuТiO 3. которые требуют объяснения. Одной из возможных причин является наличие примеси Eu 3+ в образцах. В данной работе в рамках неэмпирической модели поляризуемого иона проведено исследование влияния примеси трехвалентного иона Показать полностьюЕи 3+ на антиферродисторсионную и сегнетоэлектрическую неустойчивости кристалла ЕuТiO 3 в объемном и тонкопленочном состояниях. Расчет динамики решетки показал, что в объемном беспримесном кристалле ЕuТiO 3отсутствуют неустойчивые моды во всем объеме фазового пространства. Добавление примеси Eu 3+ приводит к значительному смягчению поворотной моды, искажение по которой делает выгодным существование тетрагональной фазы I4/mcm, наблюдаемой экспериментально. При переходе от объемного кристалла к тонкой пленке в спектре колебаний пленки без примеси появляются нестабильные антиферродисторсионные и поворотные моды. Добавление примеси Eu 3+ приводит к усилению антиферродисторсионной нестабильности, которая частично или полностью подавляет сегнетоэлектричество.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т.147, 1

Номера страниц: 119-126

ISSN журнала: 00444510

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Жандун В.С. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Замкова Н.Г. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Зиненко В.И. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)

Вхождение в базы данных