Перевод названия: Investigation of properties of radiation and impurity nanodefects depending on conditions of ionic crystal growth
Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: Международная Байкальская молодежная научная школа по фундаментальной физике и XIV Конференция молодых ученых «Взаимодействие полей и излучения с веществом»; Иркутск; Иркутск
Год издания: 2015
Аннотация: Диагностика распределения радиационных и примесных нанодефектов и форм вхождения их в кристалл имеют большое значение, так как ионные кристаллы, такие как LiF и NaF, широко применяются в качестве дозиметров радиационного и лазерного излучений, а в последнее время - в качестве микро- и наноустройств, записываемых в кристалле фемтосеПоказать полностьюкундными лазерными импульсами. Особенности выращивания кристаллов влияют на свойства люминесцирующих центров окраски, наводимых радиационным излучением, и определяют их использование. Нами изучены зависимости распределения точечных дефектов в кристалле от законов изоморфного замещения и форм вхождения катионных и анионных примесей от условий насыщения расплава примесями и от образования твердых растворов замещения или внедрения. Подбор необходимых параметров и анализ условий роста кристалла позволяет управлять однородностью распределения радиационных и примесных наноструктур в кристалле. Diagnostics of distribution of radiation and impurity nanodefects and forms of defects imbedding in a crystal are of great importance since ionic crystals, such as LiF, NaF, have broad application as radiations dosimeters, laser media, and recently as micro and nano-devices which are written down in a crystal by femtosecond laser pulses. Features of a crystal growth influence on properties of the luminescent color centers induced by radiation and define their using. We studied dependences of distribution of point defects in a crystal from laws of isomorphic replacement and kinds of cation and anion complexes, from conditions of melt saturation by impurities and from creation of solid solutions of replacement or introduction. Selection of necessary parameters and the analysis of conditions of a crystal growth allow operating homogeneous distribution of nanostructures induced by radiation and impurity in a crystal.
Журнал: Тезисы Международной Байкальской молодежной научной школы по фундаментальной физике и XIV Конференции молодых ученых «Взаимодействие полей и излучения с веществом»
Номера страниц: 66-67
Издатель: Редакционно-издательский отдел Института солнечно-земной физики СО РАН