Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2021

Идентификатор DOI: 10.31857/S123456782115009X

Аннотация: Из экспериментальных работ известно, что компоненты тензора диэлектрической проницаемости ε зависят от толщин слоев многослойных тонких пленок, а при нанометровых слоях необходимо дополнительно учитывать межслоевые интерфейсы. Данная работа посвящена ответу на вопрос, с чем связано влияние данных интерфейсов на свойства пленок. ПокПоказать полностьюазано, что вклад межзонных матричных элементов для ферромагнитных пленок, имеющих недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости, определяет соотношение между диагональной и недиагональной компонентами тензора ε при толщинах ферромагнитного слоя порядка 10 нм.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т. 114, 3-4

Номера страниц: 192-195

ISSN журнала: 0370274X

Место издания: Москва

Издатель: Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, Российская академия наук

Персоны

  • Овчинников С.Г. (Сибирский федеральный университет)
  • Максимова О.А. (Сибирский федеральный университет)
  • Лященко С.А. (Федеральный исследовательский центр “Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН”)
  • Яковлев И.А. (Федеральный исследовательский центр “Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН”)
  • Варнаков С.Н. (Федеральный исследовательский центр “Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН”)

Вхождение в базы данных