Спектроскопия потерь энергии отраженных электронов моносилицида железа : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Ключевые слова: силициды железа, моносилицид железа, спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

Аннотация: Исследованы рентгеновские фотоэлектронные спектры, спектры характеристических потерь и сечения неупругого рассеяния электронов моносилицида железа FeSi. Показано, что спектры сечения неупругого рассеяния электронов имеют преимущества в изучении процессов потерь энергии электронов по сравнению со спектрами потерь энергии отраженных Показать полностьюэлектронов. Анализ тонкой структуры спектров сечения неупругого рассеяния электронов позволил выявить неразрешенные пики, определить их энергии, интенсивность и природу. Различия между энергиями подгоночных пиков потерь в спектрах сечения неупругого рассеяния электронов для FeSi и чистого Fe существеннее, чем химические сдвиги в рентгеновских фотоэлектронных спектрах, что отражает возможность применения тонкой структуры спектров сечения неупругого рассеяния электронов для элементного анализа.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Известия высших учебных заведений. Физика

Выпуск журнала: Т. 59, 10

Номера страниц: 82-86

ISSN журнала: 00213411

Место издания: Томск

Издатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский Томский государственный университет

Персоны

  • Паршин Анатолий Сергеевич (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева)
  • Игуменов Александр Юрьевич (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева)
  • Михлин Юрий Леонидович (Институт химии и химической технологии СО РАН)
  • Пчеляков Олег Петрович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН)
  • Жигалов Виктор Степанович (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН)

Вхождение в базы данных