СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИЛИКАТА ВИСМУТА Bi12SiO20 МЕТОДОМ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ТИГЛЕ

Описание

Перевод названия: METHOD FOR PRODUCING BISMUTH SILICATE BI12SIO20 BY CRYSTALIZATION METHOD IN CRUBICLE

Тип публикации: патент

Год издания: 2018

Аннотация: p num="71"Изобретение относится к области химии и может быть использовано в области пьезо- и оптоэлектроники. Способ получения силиката висмута Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле включает предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида кремния SiO2, нагревание полученной смеси в платиноПоказать полностьювом тигле до 985±10°С - 1250±10°С с получением расплава с выдержкой не менее 15 минут, охлаждение расплава в тигле до 900±10°С - 953±10°С с изотермической выдержкой в данном интервале температур не менее 15 минут и далее на воздухе со скоростью охлаждения 3-200°С/мин. Получают однофазный Bi12SiO20 в виде зерен, имеющих дендритную форму. Данный материал обладает высокой скоростью отклика и высокой чувствительностью. 4 ил./p

Ссылки на полный текст

Вхождение в базы данных