Перевод названия: METHOD FOR PRODUCING BISMUTH SILICATE BI12SIO20 BY CRYSTALIZATION METHOD IN CRUBICLE
Тип публикации: патент
Год издания: 2018
Аннотация: p num="71"Изобретение относится к области химии и может быть использовано в области пьезо- и оптоэлектроники. Способ получения силиката висмута Bi12SiO20 методом кристаллизации в тигле включает предварительное механическое смешивание исходных порошков оксида висмута Bi2O3 и оксида кремния SiO2, нагревание полученной смеси в платиноПоказать полностьювом тигле до 985±10°С - 1250±10°С с получением расплава с выдержкой не менее 15 минут, охлаждение расплава в тигле до 900±10°С - 953±10°С с изотермической выдержкой в данном интервале температур не менее 15 минут и далее на воздухе со скоростью охлаждения 3-200°С/мин. Получают однофазный Bi12SiO20 в виде зерен, имеющих дендритную форму. Данный материал обладает высокой скоростью отклика и высокой чувствительностью. 4 ил./p p num="72"FIELD: chemistry./p p num="73"SUBSTANCE: invention relates to chemistry and can be used in the field of piestic- and optoelectronics. Method for producing bismuth silicate Bi12SiO20 by crystallization method in crubicle includes preliminary mechanical mixing of the initial bismuth oxide powders Bi2O3 and silicon oxide SiO2, heating of resulting mixture in platinum crucible up to 985±10 °C – 1,250±10 °C to obtain melt with a holding time of not less than 15 minutes, cooling of melt in a crucible up to 900±10 °C – 953±10 °C with isothermal holding in this temperature range for at least 15 minutes and further in air at cooling rate of 3–200 °C/min. A single-phase Bi12SiO20 in form of grains having dendritic form are obtained./p p num="74"EFFECT: this material has high response rate and high sensitivity./p p num="75"1 cl, 4 dwg/p