Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2019

Идентификатор DOI: 10.1134/S0370274X19050084

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований пленок в системе магнитожесткий ферромагнетик (CoNi) - магнитомягкий ферромагнетик (FeNi), взаимодействующих через немагнитную полупроводниковую прослойку кремния (Si). Проведены температурные и полевые исследования магнитных свойств пленочных структур с различными толщинами крПоказать полностьюемния. Обнаружено, что многослойная структура наряду со свойствами, присущими магнитным пружинам, проявляет эффект положительного обменного смещения, зависящим от толщины кремния.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т.109, 5-6

Номера страниц: 325-330

ISSN журнала: 0370274X

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российская академия наук"

Авторы

  • Патрин Г.С. (Институт физики им. Л. В. Киренского Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия)
  • Турпанов И.А. (Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия)
  • Юшков В.И. (Институт физики им. Л. В. Киренского Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия)
  • Кобяков А.В. (Институт физики им. Л. В. Киренского Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия)
  • Патрин К.Г. (Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия)
  • Юркин Г.Ю. (Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия)
  • Живая Я.А. (Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия)

Вхождение в базы данных