Исследование влияния конструктивно-технологических параметров на электрические характеристики FINFET-транзистора

Описание

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Современные проблемы радиоэлектроники; Красноярск; Красноярск

Год издания: 2017

Аннотация: Представлены результаты приборно-технологического моделирования TSG FINFET-транзистора с учетом проектных норм технологических процессов 32 и 10 нм. Проведено исследование влияния конструктивно-технологических параметров данного типа транзистора на его электрические характеристики с целью выявления дальнейшего вектора развития FINFПоказать полностьюET-технологии.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Современные проблемы радиоэлектроники

Номера страниц: 492-495

Издатель: Сибирский федеральный университет

Авторы

Вхождение в базы данных