The Insulator Band Structure and In-Gap States in Weakly Doped La2-xSrxCuO4

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1993

Идентификатор DOI: 10.1080/00150199308008629

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Ferroelectrics

Выпуск журнала: Т.144, 1

Номера страниц: 91-94

ISSN журнала: 00150193

Издатель: Gordon and Breach Science Publishers

Авторы

Вхождение в базы данных

  • РИНЦ (eLIBRARY.RU) (цитирований 1)
  • Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
  • Web of Science Core Collection
  • Scopus