Твердофазный синтез силицидов марганца на поверхности Si(100)2x1

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2014

Аннотация: Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследован твердофазный синтез силицидов марганца на поверхности Si(100)2x1, покрытой при комнатной температуре пленкой марганца толщиной 2 nm. Выявлена динамика изменения фазового состава и электронной структуры приповерхностной области с ростом температуры отжига образца в диапазоне до 600oC. Показано, что в данных условиях на поверхности кремния последовательно формируются твердый раствор кремния в марганце, металлический моносилицид марганца MnSi и полупроводниковый силицид MnSi1.7. Пленки обоих силицидов не являются сплошными, и занимаемая ими доля поверхности подложки уменьшается с повышением температуры отжига. Определены энергии связи Si 2p- и Mn 3p-электронов в синтезированных соединениях. Работа выполнена при поддержке Российско-Германской лаборатории в HZB BESSY, при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 13-02-00398 и N 13-02-01265), гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2) и интеграционного проекта СО РАН - ДВО РАН N 85.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т.56, 4

Номера страниц: 779-782

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Авторы

  • Варнаков С.Н. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия)
  • Гомоюнова М.В. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия)
  • Гребенюк Г.С. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия)
  • Заблуда В.Н. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
  • Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия)
  • Пронин И.И. (Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия)

Вхождение в базы данных