Перевод названия: PULLING RATE ASSIGNMENT OF SILICONIUM SINGLE CRYSTTALS GROWING
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2010
Ключевые слова: speed pulling, silicon single crystal, axial gradient, скорость вытягивания, монокристалл кремния, осевой градиент
Аннотация: Предложена математическая модель формирования скорости вытягивания на установке выращивания монокристаллов кремния по способу Чохральского, которая позволяет автоматизировать процесс ввода программного задания скорости в микропроцессорную систему управления. Mathematical expression was offered to form pulling set on silicon monocryПоказать полностьюstal growing system by Czochralski which allows to automate the process of introduction of programmed set of speed in microprocessor control system.
Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева
Выпуск журнала: № 5
Номера страниц: 254-258
ISSN журнала: 18169724
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева