ОЦЕНКА ЭФФЕКТИВНОЙ ТОЛЩИНЫ СЛОЯ ИЗОТОПА НИКЕЛЬ-63 ДЛЯ КРЕМНИЕВОГО БЕТА-ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ В GEANT4

Описание

Перевод названия: EFFECTIVE NI-63 ISOTOPE LAYER THICKNESS ESTIMATION FOR SILICON BETA-ELECTRICAL CELL

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2015

Ключевые слова: Geant4, Nickel-63, micropower radiation-stimulated power source, beta-electrical converter, p-i-n diode, никель-63, радиационно-стимулированный источник питания, бета-электрический преобразователь, p-i-n переход

Аннотация: Для оптимизации параметров микромощного радиационно-стимулированного источника питания рассчитано распределение скорости генерации электронно-дырочных пар в кремнии в системе GEANT4. Определена эффективная толщина слоя изотопа и максимально возможный КПД генерации электронно-дырочных пар.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Выпуск журнала: Т.1, 19

Номера страниц: 523-525

ISSN журнала: 19907702

Место издания: Красноярск

Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева

Авторы

  • Зеленков П.В. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Сидоров В.Г. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Хорошко А.Ю. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Лелеков Е.Т. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)
  • Лелеков А.Т. (Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных