Перевод названия: EFFECTIVE NI-63 ISOTOPE LAYER THICKNESS ESTIMATION FOR SILICON BETA-ELECTRICAL CELL
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2015
Ключевые слова: Geant4, Nickel-63, micropower radiation-stimulated power source, beta-electrical converter, p-i-n diode, никель-63, радиационно-стимулированный источник питания, бета-электрический преобразователь, p-i-n переход
Аннотация: Для оптимизации параметров микромощного радиационно-стимулированного источника питания рассчитано распределение скорости генерации электронно-дырочных пар в кремнии в системе GEANT4. Определена эффективная толщина слоя изотопа и максимально возможный КПД генерации электронно-дырочных пар. To optimize parameters of micropower radiatПоказать полностьюion-stimulated power source, electron-hole parts generation rate 1D distribution in silicon is calculated in GEANT4. Maximal efficient isotope layer thickness and maximal energy efficiency of EHP generation are estimated.
Журнал: Решетневские чтения
Выпуск журнала: Т. 1, № 19
Номера страниц: 523-525
ISSN журнала: 19907702
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева