СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Описание

Перевод названия: PROCESS OF MANUFACTURE OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH SCOTT GATE MADE OF GALLIUM ARSENIDE

Тип публикации: патент

Год издания: 1996

Аннотация: Использование: изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов. Сущность: металлизацию электродов (истока, стока и затвора) транзистора осуществляют химическим осаждением из растворов селективно через фоторезистивную контактную маску. В качестве материала затвора используют покрытие, выполненное из аморфногоПоказать полностью, тугоплавкого сплава никель-палладий-фосфор, который осаждают из никельпалладиевой ванны при температуре 96-99oC и рН 9-10.

Ссылки на полный текст

Авторы

  • Кипарисов С.Я. (Научно-исследовательский инженерный центр "Кристалл")

Вхождение в базы данных