Кристаллическая структура и электронные состояния ионов Co и Gd в монокристалле Gd0.4Sr0.6CoO2.85 : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2016

Аннотация: Проведены измерения рентгеновской дифракции и спектров рентгеновского поглощения (XANES) на K-крае Со и L3-крае Gd в кобальтитах GdCoO3 и Gd0.4Sr0.6CoO2.85. Изучено влияние Sr-замещения на кристаллическую структуру, электронное и магнитное состояния ионов Co3+ в монокристалле Gd0.4Sr0.6CoO2.85. Измерения XANES спектров на K-крае CoПоказать полностьюне показали заметного смещения края поглощения с ростом концентрации Sr. Последнее свидетельствуем о том, что эффективная валентность кобальта не меняется. Увеличение интенсивности поглощения на L3-крае Gd связано с увеличением степени гибридизации 5d(Gd)-2p(O)-состояний. Влияние дырочного допирования на магнитные свойства заключается в появлении ферромагнитной компоненты и значительном возрастании магнитного момента.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т. 103, 3-4

Номера страниц: 214-219

ISSN журнала: 0370274X

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Персоны

  • Платунов М.С. (Институт физики им. Киренского СО РАН)
  • Шайхутдинов К.А. (Институт физики им. Киренского СО РАН)
  • Овчинников С.Г. (Институт физики им. Киренского СО РАН)
  • Дудников В.А. (Институт физики им. Киренского СО РАН)
  • Орлов Ю.С. (Институт физики им. Киренского СО РАН)
  • Казак Н.В. (Институт физики им. Киренского СО РАН)
  • Соловьев Л.А. (Институт химии и химической технологии СО РАН)
  • Зубавичус Я.В. (Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт")
  • Велигжанин А.А. (Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт")
  • Дороватовский П.В. (Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт")
  • Верещагин С.Н. (Институт химии и химической технологии СО РАН)

Вхождение в базы данных