Влияние поверхностного окисления и интерфейсов на магнитные свойства системы Co/Al2O3/Co : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2026

Идентификатор DOI: 10.61011/JTF.2026.02.62300.178-25

Ключевые слова: interface, ferromagnet, oxide layer, interlayer interaction, exchange bias, интерфейс, ферромагнетик, оксидная прослойка, межслоевое взаимодействие, обменное смещение

Аннотация: Изучено магнитное поведение трехслойных образцов Сo/Al2O3/Co, полученных магнетронным методом с переменной толщиной оксидной прослойки от 3 до 8 nm и постоянными толщинами магнитных слоев кобальта 10 nm. Проанализированы вклады в магнитное поведение от верхней окисленной поверхности кобальта (интерфейс Co--CoO), межслойного взаимодействия слоев кобальта и эффектов из-за дефектов на интерфейсах Co/Al2O3 и Al2O3/Co. Обнаружено отрицательное обменное смещение при низких температурах. Температура появления ступенчатой петли гистерезиса увеличивалась с ростом толщины оксидной прослойки. The magnetic behavior of three-layer Co/Al2O3/Co samples obtained by the magnetron sputtering method with variable thickness of the oxide layer from 3 to 8 nm and constant thicknesses of the magnetic cobalt layers of 10 nm has been studied. Contributions to the magnetic behavior from the upper oxidized surface of cobalt (Co-CoO interface), interlayer interaction of cobalt layers and effects due to defects at the Co/Al2O3 and Al2O3/Co interfaces have been analyzed. A negative exchange bias was detected at low temperatures. The temperature at which a step-like hysteresis loop appeared increased with increasing oxide layer thickness

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 96, 2

Номера страниц: 393-403

ISSN журнала: 00444642

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Российская академия наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Персоны

  • Кобяков А. В. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН - обособленное подразделение Федерального исследовательского центра Красноярский научный центр СО РАН)
  • Патрин Г. С. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН - обособленное подразделение Федерального исследовательского центра Красноярский научный центр СО РАН)
  • Юшков В. И. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН - обособленное подразделение Федерального исследовательского центра Красноярский научный центр СО РАН)
  • Иванов Д. А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН - обособленное подразделение Федерального исследовательского центра Красноярский научный центр СО РАН)
  • Комаров В. А. (Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН - обособленное подразделение Федерального исследовательского центра Красноярский научный центр СО РАН)
  • Руденко Р. Ю. (Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных