Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2011

Идентификатор DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.277

Ключевые слова: Interfaces metal/semiconductor, Magnetic silicides, Molecular beam epitaxy technology, semiconductor and magnetic geterostructures

Аннотация: Determination of stable phases formed at the Fe/Si interface in (Fe/Si)n structure, grown by thermal evaporation in an ultrahigh vacuum system was performed using conversion electron Mossbauer spectroscopy (CEMS).

Журнал: Solid State Phenomena

Выпуск журнала: Т. 168-169

Номера страниц: 277-280

ISSN журнала: 16629779

Издатель: Trans Tech Publications Ltd

• Varnakov S.N. (Siberian Aerospace University)
• Ovchinnikov S.G. (Siberian Aerospace University)
• Bondarenko G.V. (Kirensky Institute of Physics,Siberian Division,Russian Academy of Sciences)
• Bartolome J. (Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon,Departamento de Fisica de la Materia Condensada,CSIC-Universidad de Zaragoza)
• Badia L. (Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon,Departamento de Fisica de la Materia Condensada,CSIC-Universidad de Zaragoza)
• Rubin J. (Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon,Departamento de Ciencia de Materiales e Ingenieria Metalurgica,CSIC-Universidad de Zaragoza)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)