Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2014
Идентификатор DOI: 10.7868/S0207352814010077
Аннотация: Собрана установка для измерения MEE-эффекта путем фиксации (измерения) амплитуды колебания намагниченности образца в ходе его переполяризации, вызванной приложением переменного напряжения к обкладкам образца. На монокристаллическом образце Ga2 - xFexO3 проведены измерения температурной зависимости MEE-эффекта при различных значенияПоказать полностьюх внешнего магнитного поля H от 0.25 до 1 кЭ в диапазоне температур от 77.4 до 280 К. Обнаружено, что эффект пропадает при достижении температуры Кюри. Измерен гистерезис магнитоэлектрического эффекта, связанный с гистерезисом намагниченности.
Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Выпуск журнала: № 1
Номера страниц: 20-23
ISSN журнала: 02073528
Место издания: Москва
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука