Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2025

Идентификатор DOI: 10.31857/S0044451025070090

Аннотация: Интерфейсные плоскости и ориентационные соотношения между ферромагнитным силицидом Fe₃Si и кремнием были спрогнозированы в рамках кристалло-геометрического подхода. Показана возможность образования атомарно гладкого интерфейса между Fe₃Si и подложками Si(001) и Si(111), а также α-FeSi₂(001). На основе анализа ориентационных соотношений в системе Fe₃Si//α-FeSi₂//Si предложен способ выращивания отдельно стоящих нанокристаллов Fe3Si на подложках Si(001) и Si(111) с помощью нанокристаллов α-FeSi₂ в качестве буферного слоя. В зависимости от типа подложки и параметров роста буферного слоя кристаллическая решетка нанокристаллов Fe₃Si, выращенных в подобной тройной системе, может претерпевать понижение симметрии с кубической до тетрагональной и далее, до орторомбической, со сжатием вдоль направлений [110] на 3.93 % или 5.31 %. Полученные результаты указывают на возможность создания ансамблей ферромагнитных наночастиц с управляемыми магнитными свойствами, которые могут использоваться для систем хранения данных высокой плотности, спинтроники и магнитных датчиков.

Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т.168, №1

Номера страниц: 88-95

ISSN журнала: 00444510

Место издания: Москва

Издатель: Российская академия наук, Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН

• Высотин М. А. (Сибирский федеральный университет)
• Тарасов И. А. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Лутошкина Н. В. (Сибирский университет науки и технологий)
• Федоров А. С. (Сибирский федеральный университет)
• Варнаков С. Н. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Овчинников С. Г. (Сибирский федеральный университет)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК