Тип публикации: статья из журнала (материалы конференций, опубликованные в журналах)
Конференция: International Symposium on Applied Electromagnetics and Mechanics; TOKYO, JAPAN; TOKYO, JAPAN
Год издания: 2001
Аннотация: Generalized tight-binding method is developed to strongly correlated electron systems. Evolution of the band structure of CuO2 layer with hole doping from the undoped charge transfer antiferromagnetic insulator to the optimally doped paramagnetic metal is obtained. Effective low energy Hamiltonian is given by a t-J-I model that allПоказать полностьюows to compare magnetic mechanism and symmetry of pairing in cuprates and ruthenates on equal footing.
Журнал: INTERNATIONAL JOURNAL OF APPLIED ELECTROMAGNETICS AND MECHANICS
Выпуск журнала: Vol. 13, Is. 1-4
Номера страниц: 343-348
ISSN журнала: 13835416
Место издания: AMSTERDAM
Издатель: IOS PRESS