1. Главная
  2. Публикации
  3. Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x : научное издание

Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2008

Аннотация: Из экспериментальных спектров характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FexSi1-x(0= x= 1) вычислены произведения средней длины неупругого пробега на дифференциальное поперечное сечение неупругого рассеяния электронов. Предложен новый подход для количественного анализа содержания компонентов коПоказать полностьюмпозитной среды. PACS: 82.80.Dx

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал технической физики

Выпуск журнала: Т. 34, № 9

Номера страниц: 41-48

ISSN журнала: 03200116

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Персоны

  • Паршин А.С. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
  • Александрова Г.А. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
  • Долбак А.Е. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
  • Пчеляков О.П. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
  • Ольшанецкий Б.З. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
  • Овчинников С.Г. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)
  • Кущенков С.А. (Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск)

Вхождение в базы данных