Efficiency of defect buildup in ion-implanted polycrystalline silicon films

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1979

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Physica status solidi a-applied research

Выпуск журнала: Vol. 54, Is. 2

Номера страниц: 457-462

ISSN журнала: 00318965

Место издания: Berlin

Издатель: Akademie Verlag GMBH

Персоны

  • Dvurechenskii A.V. (Institute of Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the Ussr, Siberian Branch, Novosibirsk )
  • Potapova L.P. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • Kalinin V.V. (Institute of Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the Ussr, Siberian Branch, Novosibirsk )