Полный текст публикации: Room Temperature Spin Accumulation Effect in Boron Doped Si Created by Epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky Contact : сборник научных трудов

Полный текст не загружен, но возможно он доступен по одной из следующих ссылок:

  1. DOI 10.1134/S1027451018040171 (переход на страницу публикации на сайте издателя)
  2. РИНЦ (eLIBRARY.RU) (справа ссылка «Загрузить полный текст»)
  3. Scopus (вверху ссылка «Скачать»)
  4. Web of Science Core Collection (вверху кнопка «Полный текст от издателя») (если при открытии ссылки возникла ошибка, то попробуйте открыть ссылку повторно)
  5. Поиск в Академии Google

Вернуться на страницу публикации