МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭВОЛЮЦИИ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ И ИХ КЛАСТЕРОВ В ТЕЛЛУРИДЕ КАДМИЯ ПОД ВЛИЯНИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ : доклад, тезисы доклада

Описание

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Решетневские чтения; Красноярск; Красноярск

Год издания: 2024

Ключевые слова: теллурид кадмия, точечные дефекты, численное моделирование, электронное облучение, cadmium telluride, point defects, numerical modeling, electron irradiation

Аннотация: Проведено теоретическое исследование с использованием усовершенствованной модели эволюции междоузельных атомов и вакансий, а также их скоплений в виде дислокационных петель и пор в CdTe при облучении электронами, с учетом уменьшения числа узлов кристаллической структуры полупроводника со временем. A theoretical study was carried ouПоказать полностьюt using an improved model of the evolution of interstitial atoms and va- cancies, as well as their accumulations in the form of dislocation loops and pores in CdTe under electron irradiation, taking into account the decrease in the number of nodes in the crystal structure of the semicon-ductor over time.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Номера страниц: 659-660

Место издания: Красноярск

Персоны

  • Мозжерин А. В. (Сибирский федеральный университет)
  • Паклин Н. Н. (Сибирский федеральный университет)
  • Логинов Ю. Ю. (Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М. Ф. Решетнева)

Вхождение в базы данных