Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций
Конференция: Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование; Хабаровск; Хабаровск
Год издания: 2024
Аннотация: В данной работе рассматривается влияние дырки на электронные свойства структуры типа сэндвич Si/Ge/Si. В рамках работы рассчитаны изменение электронной плотности структуры в зависимости от заданной намагниченности для случая с дыркой и без, ширина запрещенной зоны и влияние заданной намагниченности на электростатический потенциал сПоказать полностьюистемы. Было установлено наиболее выгодное состояние системы с дыркой. Полученные свойства будут полезны для проектирования квантовых вычислительных устройств на основе системы Si/Ge/Si.
Журнал: Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование
Номера страниц: 86-88
Место издания: Хабаровск