Квантовые эффекты при спин-флоп переходе в топологическом антиферромагнитном изоляторе MnBi2Te4

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2024

Идентификатор DOI: 10.31857/S0370274X24100072

Аннотация: Показано, что экспериментально обнаруженные особенности низкотемпературного поведения намагниченности во внешнем магнитном поле, ориентированном перпендикулярно слоям ионов марганца топологического антиферромагнетика MnBi2Te4, обусловлены квантовыми эффектами, индуцированными недиагональным характером тригональной компоненты кристаллического поля. При этом аномальное возрастание намагниченности материала до спин-флоп перехода, а также после него в фазе “схлопнутых” подрешеток объясняется подавлением вкладов от квантовых эффектов. Сопоставление результатов теоретического анализа с данными эксперимента позволило уточнить параметры эффективной спиновой модели MnBi2Te4 и установить важную роль отмеченной тригональной компоненты.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т. 120, 7-8

Номера страниц: 521-529

ISSN журнала: 0370274X

Место издания: Москва

Издатель: Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, Российская академия наук

Персоны

  • Вальков В.В. (Институт физики им. Л.В.Киренского, Федеральный исследовательский центр “Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук”)
  • Злотников А.О. (Институт физики им. Л.В.Киренского, Федеральный исследовательский центр “Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук”)
  • Гамов А. (Институт физики им. Л.В.Киренского, Федеральный исследовательский центр “Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук”)
  • Федорова Н.А. (Институт физики им. Л.В.Киренского, Федеральный исследовательский центр “Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук”)
  • Томилин Ф.Н. (Институт физики им. Л.В.Киренского, Федеральный исследовательский центр “Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук”)

Вхождение в базы данных