Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2020
Идентификатор DOI: 10.1016/j.jssc.2019.121124
Ключевые слова: Bismuth oxysulfate, Crystal structure, Electronic structure, Thermal properties
Аннотация: Single-phase polycrystalline bismuth oxysulfate, Bi2O2SO4, has been prepared via low-temperature reaction between Bi2O2CO3 and (NH4)2SO4. The compound is monoclinic (C2/m, a = 14.1659(4) Å, b = 4.2344(1) Å, c = 8.2100(2) Å, β = 106.7201(8)°, V = 471.65(2) Å3) and isostructural to isoelectronic Pb2F2SO4 and to isolobal Ln2Показать полностьюO2SO4. Upon heating, it decomposes at ~550 °C into the Bi28O32(SO4)10 which is stable until ~775 °C. DFT calculations predict it to be a wide-gap semiconductor. © 2019 Elsevier Inc.
Журнал: Journal of Solid State Chemistry
Выпуск журнала: Vol. 282
Номера страниц: 121124
ISSN журнала: 00224596
Издатель: Academic Press Inc.