Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2014
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Psi и Delta непосредственно в процесПоказать полностьюсе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1-xCdxTe.
Журнал: Журнал технической физики
Выпуск журнала: Т. 84, № 5
Номера страниц: 109-112
ISSN журнала: 00444642
Место издания: Санкт-Петербург
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука