Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2011
Аннотация: Работа является теоретическим исследованием электронной структуры двухслойных ВТСП-купратов и ее эволюции с допированием и под действием сильного магнитного поля. Исследование проводится на основе t-t'-t"-J*-модели в рамках обобщенного приближения Хартри-Фока. Возможность туннелирования между СиСЬ-слоями учтена в виде ненулевого инПоказать полностьютеграла перескока между орбиталями соседних плоскостей и включена в схему кластерной формы теории возмущений. Основным эффектом связи между двумя СиСЬ-слоями в элементарной ячейке является двухслойное расщепление, заключающееся в наличии антисвязывающей и связывающей зон, образованных комбинацией идентичных зон самих слоев. Изменение уровня допирования вызывает перестройку зонной структуры и поверхности Ферми, в связи с чем наблюдается ряд квантовых фазовых переходов. Сильное внешнее магнитное поле приводит к принципиально иному виду электронной структуры. В поле квантовые фазовые переходы наблюдаются не только с допированием, но и с варьированием величины поля. Вследствие межслойного туннелирования квантовые фазовые переходы также расщепляются, в результате появляется более сложная последовательность переходов Лифшица, чем в однослойных купратах.
Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики
Выпуск журнала: Т. 139, № 2
Номера страниц: 334-350
ISSN журнала: 00444510
Место издания: Москва
Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука