Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2024
Идентификатор DOI: 10.31044/1684-5811-2024-25-5-175-179
Ключевые слова: porous structure, silicon, electrochemical anodizing, source, Additional irradiation, electrochemical cell, photoluminescence, porous silicon, photoluminescence spectrum, visible region, пористые структуры на кремнии, электрохимическое анодирование, источники дополнительного облучения, электрохимическая ячейка, фотолюминесценция структур на пористом кремнии, спектры фотолюминесценции пористого кремния в видимой области спектра
Аннотация: Работа посвящена исследованию влияния разных источников дополнительного облучения на оптические свойства получаемого пористого кремния. Образцы получены по стандартной технологии электрохимического анодирования (травления) в растворе плавиковой кислоты из пластин монокристаллического кремния. Замечены различия в спектрах фотолюминеПоказать полностьюсценции трех серий образцов с разным спектральным облучением. Результаты работы показывают, что, используя различные типы источников дополнительного излучения во время процесса электрохимического анодирования, возможно проводить перестройку максимума спектра фотолюминесценции пористого кремния в диапазоне длин волн 400-850 нм. The influence of various sources of additional radiation on the optical properties of the resulting porous silicon has been studied. The samples were obtained, using the standard technology of electrochemical anodizing (etching) in a solution of hydrofluoric acid from plates of monocrystalline silicon. Differences in photoluminescence spectra of three series of samples with different spectral irradiation were observed. The results of the work show that using various types of additional radiation sources during the electrochemical anodizing process, it is possible to rearrange the maximum photoluminescence spectrum of porous silicon in a wavelength range of 400-850 nm.
Журнал: Химическая технология
Выпуск журнала: Т.25, №5
Номера страниц: 175-179
ISSN журнала: 16845811
Место издания: Москва
Издатель: ООО "Наука и технологии"