Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2024

Идентификатор DOI: 10.1039/d4nr00710g

Аннотация: <jats:p>The photoresponsivity of the proposed light-trapping device can reach 42.6 mA W<jats:sup>−1</jats:sup> at 905 nm.</jats:p>

Журнал: Nanoscale

Выпуск журнала: Т.16, №19

Номера страниц: 9570-9575

ISSN журнала: 20403364

• Konov Yurii V. (Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia)
• Pykhtin Dmitrii A. (Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia)
• Bikbaev Rashid G. (Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia)
• Timofeev Ivan V. (Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)