MECHANISMS OF RADIATIVE RECOMBINATION IN HEAVILY DOPED COMPENSATED GALLIUM-ARSENIDE

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 1988

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR

Выпуск журнала: Vol. 22, Is. 8

Номера страниц: 862-866

ISSN журнала: 00385700

Место издания: WOODBURY

Издатель: AMER INST PHYSICS

Персоны

  • KOROLEV V.L. (KRASNOYARSK STATE UNIV)
  • SIDOROV V.G. (KRASNOYARSK STATE UNIV)

Вхождение в базы данных