ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ ОКСИДЕ МЕДИ, ОСАЖДЕННОМ ИЗ ПЛАЗМЫ ДУГОВОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ

Описание

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛаПлаз-2024; Москва; Москва

Год издания: 2024

Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии с проводящим зондом исследован эффект резистивного переключения в тонкой пленке CuxO состоящей из смеси фаз. В структуре Cu/CuxO/Ptустановлен механизм образования проводящих филаментов под действием внешнего электрического поля. Приведены факторы, способные затруднить интерпретацию результатов. ThПоказать полностьюe effect of resistive switching in a thin CuxO film consisting of a mixture of phases was studied using atomic force microscopy with a conducting probe. In the Cu/CuxO/Pt structure, a mechanism for the formation of conductive filaments under the influence of an external electric field has been established. Factors that may complicate the interpretation of the results are given.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛаПлаз-2024

Номера страниц: 303

Место издания: Москва

Персоны

  • ФЕДОРОВ Л.Ю. (Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СО РАН)
  • КАРПОВ И.В. (Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СО РАН)

Вхождение в базы данных