Тип публикации: патент
Год издания: 2024
Аннотация: Изобретение относится к области плазменной обработки поверхностей, в частности поверхности микрофлюидных чипов для активации и осуществления герметизации. Технический результат - упрощение конструкции и уменьшение параметров, которые необходимо контролировать во время работы, при сохранении возможности регулировать параметры горения плазмы в камере. Плазменная камера для активации поверхности микрофлюидных чипов и их последующей герметизации содержит вакуумную камеру, у которой по крайней мере одна стенка выполнена из диэлектрического материала, два электрода - верхний и нижний, испаритель с жидкостью, столик и образец. Испаритель, нижний электрод и столик расположены внутри вакуумной камеры, а верхний электрод расположен снаружи вакуумной камеры. При этом нижний электрод расположен на столике таким образом, чтобы между ним и стенкой вакуумной камеры из диэлектрического материала образовывался газовый зазор, образец помещается непосредственно на нижний электрод в газовый зазор. При этом испаритель расположен вне газового зазора, где поджигается диэлектрический барьерный разряд, таким образом, чтобы при кипении жидкости ее капли не попадали на поверхность нижнего электрода или образца. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
FIELD: various technological processes. SUBSTANCE: invention relates to plasma treatment of surfaces, in particular the surface of microfluidic chips for activation and sealing. Plasma chamber for activating the surface of microfluidic chips and their subsequent sealing comprises a vacuum chamber, in which at least one wall is made of dielectric material, two electrodes — upper and lower, evaporator with liquid, table and sample. Evaporator, lower electrode and table are located inside vacuum chamber, and upper electrode is located outside vacuum chamber. At that, the lower electrode is located on the table so that a gas gap is formed between it and the wall of the vacuum chamber from dielectric material, sample is placed directly on the lower electrode in the gas gap. Evaporator is located outside the gas gap, where the dielectric barrier discharge is ignited, so that when the liquid boils, its drops do not fall on the surface of the lower electrode or sample. EFFECT: simplification of design and reduction of parameters to be controlled during operation, while maintaining the possibility of controlling parameters of plasma combustion in the chamber. 7 cl, 4 dwg