Построение многоэлектронного базиса для моттовских диэлектриков с учетом сильных электронных корреляций, спин-орбитального взаимодействия и ковалентности : научное издание

Описание

Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2009

Аннотация: Предложено использовать аппарат квантовой механики свободного атома, в частности теорию nj-символов и генеалогических коэффициентов Рака и Вигнера, обобщенную на случай точечных групп и широко применяемую в теории кристаллического поля, для конструирования многоэлектронных базисов с учетом ковалентности и спин-орбитального взаимодеПоказать полностьюйствия. Это дополнение позволило наиболее полно учесть электрон-электронное взаимодействие для 3d-ионов. Сконструированный таким образом базис может быть использован в обобщенном методе сильной связи для многозонной p-d-модели при описании структуры энергетического спектра квазичастиц и физических свойств систем с сильными электронными корреляциями. Процедура построения и расчета была продемонстрирована на примере 5Т2g-терма для d6-конфигурации иона переходного металла в октаэдрическом поле. Показан механизм возникновения магнитной анизотропии в S-ионах (Fe3+, Мп2+) за счет ковалентного подмешивания в основное состояние d6L-конфигураций с ненулевым орбитальным моментом (L - дырка на лигандах).

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики

Выпуск журнала: Т. 136, 2

Номера страниц: 377-392

ISSN журнала: 00444510

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Наука

Персоны

  • Орлов Ю.С. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
  • Овчинников С.Г. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук; Сибирский федеральный университет)

Вхождение в базы данных