1. Главная
  2. Публикации
  3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА ГЕРМАНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ Fe3Si/Si(111) : доклад, тезисы доклада

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА ГЕРМАНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ Fe3Si/Si(111) : доклад, тезисы доклада

Описание

Тип публикации: доклад, тезисы доклада, статья из сборника материалов конференций

Конференция: Решетневские чтения; Красноярск; Красноярск

Год издания: 2023

Ключевые слова: тонкие магнитные пленки, силициды железа, дифракция электронов, слоистые структуры, спинтроника, германий, thin magnetic films, iron silicides, electron diffraction, layered structures, spintronics, germanium

Аннотация: Исследованы процессы эпитаксиального роста слоя Ge на Fe3Si/Si(111), полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии с последующим отжигом. Установлено, что после отжига при 380 °С аморфная пленка Ge трансформируется в монокристаллические островки. The epitaxial growth processes of a Ge layer on Fe3Si/Si(111) synthesized by molecПоказать полностьюular beam epitaxy with subsequent annealing have been studied. It has been established that after annealing at 380 °C the amorphous Ge film is transformed into single-crystalline islands.

Ссылки на полный текст

Издание

Журнал: Решетневские чтения

Номера страниц: 591-593

Место издания: Красноярск

Персоны

  • Кошелев А.А. (Сибирский федеральный университет)
  • Яковлев И.А. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук - обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН)
  • Варнаков С.Н. (Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук - обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН)

Вхождение в базы данных