Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2013

Идентификатор DOI: 10.7868/S0044453713080189

Аннотация: Исследованы геометрические особенности монослоя 2D SiC на пластинках Mg(0001) и MgO(111), рассматриваемых в качестве потенциальных материалов для выращивания двумерного карбида кремния. Определены наиболее выгодные положения атомов 2D SiC на подложках. Показано, что величина выхода атома углерода из плоскости монослоя карбида кремнПоказать полностьюия незначительна в системе 2D SiC/Mg(0001) в отличие от 2D SiC/MgO(111) и составляет 0.08 A. Следовательно, существует возможность использования магния в качестве подложки для выращивания двумерного карбида кремния. Использовать MgO(111) нецелесообразно из-за сильного искажения поверхности 2D SiC.

Журнал: Журнал физической химии

Выпуск журнала: Т. 87, № 8

Номера страниц: 1336

ISSN журнала: 00444537

Место издания: Москва

Издатель: Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука"

• Кузубов А.А. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
• Елисеева Н.С. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
• Краснов П.О. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
• Томилин Ф.Н. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)
• Федоров А.С. (Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт физики им. Л.В. Киренского, Красноярск)
• Толстая А.В. (Сибирский федеральный университет, Красноярск)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК