Тип публикации: статья из журнала

Год издания: 2023

Идентификатор DOI: 10.61011/FTT.2023.10.56316.90

Ключевые слова: polycrystalline films, synthesis of films of the Cu-Ga-Se system, raman spectra, electrical properties, photoconductivity, поликристаллические пленки, синтез пленок системы Cu-Ga-Se, КР спектры, электрофизические свойства, фотопроводимость

Аннотация: Синтезированы поликристаллические пленки Cu_0.27Ga_1.85Se_1.88 и Cu_0.33Ga_1.54Se_2.13 со структурой халькопирита системы Cu-Ga-Se. Влияние температуры селенизации на химический состав и структуру пленок исследовали методом рентгенофазового анализа и электронной микроскопией. Изучена зависимость сопротивления пленок от концентрации и температуры. На пленках Cu_0.27Ga_1.85Se_1.88 обнаружен эффект фотопроводимости. Проведен расчет спектров комбинационного рассеяния этих пленок. Из спектров поглощения определена энергия Урбаха E_U=0.9 eV, которая свидетельствует о неоднородном распределении локализованных состояний в электронной структуре пленок. Установлены миграционный и дипольно-ориентационный вклады в электрическую поляризацию пленок. В рамках модели Дебая вычислено время релаксации в пленочных образцах системы Cu-Ga-Se. Polycrystalline films of Cu0.27Ga1.85Se1.88 and Cu0.33Ga1.54Se2.13 with a chalcopyrite structure of the Cu-Ga-Se system were synthesized. The effect of selenization temperature on the chemical composition and structure of films was studied by X-ray phase analysis and electron microscopy. The dependence of film resistance on concentration and temperature has been studied. The effect of photoconductivity was discovered on Cu0.27Ga1.85Se1.88 films. The Raman spectra of these films were calculated. From the absorption spectra, the Urbach energy EU = 0.9 eV was determined, which indicates a nouniform distribution of localized states in the electronic structure of the films. Migration and dipole-orientation contributions to the electrical polarization of the films have been established. Using the Debye model, the relaxation time in film samples of the Cu-Ga-Se system was calculated.

Журнал: Физика твердого тела

Выпуск журнала: Т. 65, № 10

Номера страниц: 1698-1706

ISSN журнала: 03673294

Место издания: Санкт-Петербург

Издатель: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

• Романова О.Б. (Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук)
• Герасимова Ю.В. (Институт инженерной физики и радиоэлектронники, Сибирский федеральный университет)
• Гаджиев Т.М. (Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН)
• Аплеснин С.С. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева)
• Александровский А.С. (Институт инженерной физики и радиоэлектронники, Сибирский федеральный университет)
• Ситников М.Н. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева)
• Алиев М.А. (Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН)
• Удод Л.В. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева)
• Абдельбаки X. (Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева)

• Ядро РИНЦ (eLIBRARY.RU)
• Список ВАК