Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2019
Идентификатор DOI: 10.1002/adom.201801435
Ключевые слова: band gap engineering, halide double perovskites, Mn 2+ doping
Аннотация: The halide double perovskite family represented by A 2 (B + ,B 3+ )X 6 can overcome the lead toxicity and enable generally large band gap engineering via B/B sites' transmutation or exotic dopants to fulfill the emerging applications in the optoelectronic
Журнал: Advanced Optical Materials
Номера страниц: 1801435
ISSN журнала: 21951071
Издатель: Wiley-VCH Verlag