Перевод названия: EFFECT OF ELASTIC STRESSES ON THE FORMATION OF STRUCTURAL DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
Тип публикации: статья из журнала
Год издания: 2013
Ключевые слова: structural defects, elastic constants, electron microscopy, semiconductors, структурные дефекты, упругие постоянные, электронная микроскопия, полупроводники
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы закономерности образования структур- ных дефектов в полупроводниках CdTe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, Si и GaAs. Установлено, что при одних и тех же условиях обработки в полупроводниках группы А2В6 образуются дефекты наибольших размеров и с более высо- кой плотностью по сравнениПоказать полностьюю с Si и GaAs. При этом степень нарушений кристаллической решетки и интен-сивность дефектообразования убывает в следующей последовательности: от ZnS > ZnSe ? CdS > CdTe ?? HgTe > ZnTe > GaAs ? Si. Экспериментальные результаты объясняются на основе анализа упругих напря-жений, создаваемых в материале в результате образования структурных дефектов. The structural defects formation in semiconductors CdTe, HgTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, Si and GaAs were investigated by method of transmission electron microscopy. It is found that the same processing conditions in semiconductors А2В6 defects are formed with largest dimensions and higher density as compared with Si and GaAs. The degree of crystallattice irregularities and defect formation intensity decreases in the following order of ZnS > ZnSe ? CdS > CdTe ?? HgTe > ZnTe to GaAs and Si. The experimental results are explained on the basis of analysis of the elastic stressesin the material generated as a result of the formation of structural defects.
Журнал: Вестник Сибирского государственного аэрокосмического университета им. академика М.Ф. Решетнева
Выпуск журнала: № 2
Номера страниц: 198-200
ISSN журнала: 18169724
Место издания: Красноярск
Издатель: Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева