Год издания: 2003
Аннотация: Теоретическое моделирование электронной структуры в рамках многозонной p-d модели позволит изучить эволюцию плотности состояний и поверхности Ферми электронных и дырочных купратов при допировании: от недопированного антиферромагнитного диэлектрика до сильного допированного парамагнитного металла. Отличительной особенностью проекта Показать полностьюявляется одновременный учет как сложных (например, трехцентровых) взаимодействий, так и флуктуаций в подсистеме бозевских степеней свободы. Будет проанализировано влияние индуцированной трехцентровыми взаимодействиями и спиновыми флуктуациями новой особенности Ван-Хова на электронные характеристики высокотемпературных сверхпроводников. Для электронных и дырочных сверхпроводников будут сравниваться эффективный низкоэнергетический гамильтониан, фононные спектры и электрон-фононное взаимодействие, отражающие различия в кристаллической и электронной структуре. Теория сверхпроводимости в режиме сильных электронных корреляций будет построена с учетом электрон-фононного и магнитного механизмов спаривания как в приближении среднего поля, так и с учетом корреляционных поправок. С этой целью будет проведено развитие диаграммной техники для операторов Хаббарда, которое позволит учитывать флуктуационные поправки эффективных низкоэнергетических гаимильтонианов со сложными взаимодействиями.